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K3P7V1000B-YC100

更新时间： 2024-01-26 23:01:54
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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K3P7V1000B-YC100 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1,
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.45最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：16.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：12 mmBase Number Matches：1

K3P7V1000B-YC100 数据手册

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K3P7V(U)1000B-YC  
CMOS MASK ROM  
64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
8,388,608 x 8(byte mode)  
4,194,304 x 16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access Time/Page Access Time  
3.3V Operation : 100/30ns(Max.)@CL=50pF,  
120/40ns(Max.)@CL=100pF  
3.0V Operation : 120/40ns(Max.)@CL=100pF  
8 Words / 16 Bytes page access  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
The K3P7V(U)1000B-YC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as  
4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 8 words (or 16 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A3 ~ A21 should not be changed.  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Operating : 60mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The K3P7V(U)1000B-YC is packaged in a 48-TSOP1.  
· Package  
K3P7V(U)1000B-YC : 48-TSOP1-1218  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Pin Name  
A0 - A2  
Pin Function  
Page Address Inputs  
A21  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
A3 - A21  
Q0 - Q14  
Address Inputs  
Data Outputs  
.
.
.
.
.
.
.
.
(4,194,304x16/  
8,388,608x8)  
DECODER  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
Y
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
OE  
DATA OUT  
BUFFERS  
VCC  
Vss  
N.C  
DECODER  
A3  
A0~A2  
A-1  
Ground  
No Connection  
.
.
.
CE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE  
BHE  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3P7V1000B-YC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3P7V1000B-YC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3P7VU1000B-YC SAMSUNG

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 		64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM
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