Datasheet > K3N3V3000D-DC100

K3N3V3000D-DC100

更新时间： 2024-11-17 21:12:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K3N3V3000D-DC100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	长度：	41.91 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

K3N3V3000D-DC100 数据手册

K3N3V(U)3000D-D(G)C

CMOS MASK ROM

4M-Bit (512Kx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

The K3N3V(U)3000D-D(G)C is a fully static mask programma-

ble ROM organized 524,288 x 8 bit. It is fabricated using silicon

gate CMOS process technology.

· 524,288 x 8 bit organization

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)

3.0V Operation : 120ns(Max.)

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

Operating : 25mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The K3N3V(U)3000D-DC is packaged in a 32-DIP and the

K3N3V(U)3000D-GC in a 32-SOP.

· Package

-. K3N3V(U)3000D-DC : 32-DIP-600

-. K3N3V(U)3000D-GC : 32-SOP-525

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A18

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

(524,288x8)

N.C

A16

A15

A12

32 VCC

31 A18

DECODER

A17

A14

A13

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

DIP

SOP

A11

. . .

A10

21 CE

CONTROL

LOGIC

VSS

19 Q5

Pin Name

A0 - A18

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power

K3N3V(U)3000D-D(G)C

VCC

VSS

Ground

N.C

No Connection

12 3

中文翻译

下载PDF

与K3N3V3000D-DC100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N3V3000D-DG10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-GC	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32
K3N3V3000D-GC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-GC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-YC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YE10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YE100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V6000D-DC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
K3N4C1000D-DC	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM

与K3N3V3000D-DC100相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N3V3000D-DC100

K3N3V3000D-DC100 技术参数

K3N3V3000D-DC100 数据手册

与K3N3V3000D-DC100相关器件

与K3N3V3000D-DC100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N3V3000D-DC100

K3N3V3000D-DC100 技术参数

K3N3V3000D-DC100 数据手册

与K3N3V3000D-DC100相关器件

与K3N3V3000D-DC100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？