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K3N3V3000D-GC

更新时间： 2024-11-30 19:29:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32

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K3N3V3000D-GC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, SOP32,.56	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	MASK ROMs
最大压摆率：	0.025 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K3N3V3000D-GC 数据手册

K3N3V(U)3000D-D(G)C

CMOS MASK ROM

4M-Bit (512Kx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

The K3N3V(U)3000D-D(G)C is a fully static mask programma-

ble ROM organized 524,288 x 8 bit. It is fabricated using silicon

gate CMOS process technology.

· 524,288 x 8 bit organization

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)

3.0V Operation : 120ns(Max.)

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

Operating : 25mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The K3N3V(U)3000D-DC is packaged in a 32-DIP and the

K3N3V(U)3000D-GC in a 32-SOP.

· Package

-. K3N3V(U)3000D-DC : 32-DIP-600

-. K3N3V(U)3000D-GC : 32-SOP-525

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A18

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

(524,288x8)

N.C

A16

A15

A12

32 VCC

31 A18

DECODER

A17

A14

A13

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

DIP

SOP

A11

. . .

A10

21 CE

CONTROL

LOGIC

VSS

19 Q5

Pin Name

A0 - A18

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power

K3N3V(U)3000D-D(G)C

VCC

VSS

Ground

N.C

No Connection

12 3

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与K3N3V3000D-GC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N3V3000D-GC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-GC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-YC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YE10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YE100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V6000D-DC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
K3N4C1000D-DC	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM
K3N4C1000D-DC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N4C1000D-DC15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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