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JANTXV2N6287

更新时间： 2024-01-19 11:12:26

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14页	78K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3

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JANTXV2N6287 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.35	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

JANTXV2N6287 数据手册

MIL-PRF-19500/505B

TABLE I. Group A inspection.

Inspection 1/

Subgroup 1

MIL-STD-750

Conditions

Symbol

Limits

Unit

Method

2071

Min

Max

Visual and mechanical

examination

Subgroup 2

Breakdown voltage,

collector - emitter

3011

3041

Bias condition D;

(BR)CEO

= -100 mA dc;

pulsed (see 4.5.1)

2N6286

2N6287

-80

-100

V dc

Collector - emitter

cutoff current

Bias condition A;

-0.5

-1.0

mA dc

CEX1

= +1.5 V dc

= -80 V dc

2N6286

2N6287

= -100 V dc

Collector - emitter

cutoff current

3041

Bias condition D

mA dc

CEO

= -40 V dc

= -50 V dc

2N6286

2N6287

Emitter - base cutoff current

Base – emitter (nonsaturated)

3061

3066

-2.5

-2.8

mA dc

V dc

Bias condition D; V

Test condition B;

= -7 V dc

EBO

= -3 V dc; I = -10 A dc

Base - emitter voltage

(saturated)

3066

Test condition A;

= -20 A dc; I = -200 mA dc;

-4.0

V dc

BE(sat)

pulsed (see 4.5.1)

Collector - emitter saturated

voltage

3071

3076

-3.0

-2.0

V dc

= -20 A dc; I = -200 mA dc;

(

CE sat)1

pulsed (see 4.5.1)

Collector - emitter saturated

voltage

= -10 A dc; I = -40 mA dc;

CE(sat)2

pulsed (see 4.5.1)

Forward-current transfer ratio

1,500

1,250

= -3 V dc; I = -1 A dc;

FE1

pulsed (see 4.5.1)

18,000

= -3 V dc; I = -10 A dc;

pulsed (see 4.5.1)

FE2

See footnote at end of table.

1...3 4 567 8 9...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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