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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.075 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/444 |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5712-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JANTXV1N5712UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| JANTXV1N5712UBCA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| JANTXV1N5712UBD | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JANTXV1N5712UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JANTXV1N5768 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, FLAT PACK-10 |
|
| JANTXV1N5772 | MICROSEMI |
获取价格 |
Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options |
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| JANTXV1N5774 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 16 Element, 0.3A, 60V V(RRM), Silicon, TO-86, CERAMIC, FP-14 |
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| JANTXV1N5802 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JANTXV1N5802 | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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