是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.54 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大输出电流: | 0.075 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N5712 | MICROSEMI |
完全替代 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT | |
1N5712UR-1 | MICROSEMI |
完全替代 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSB5712E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 | |
DSB5817 | MICROSEMI |
获取价格 |
1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5817 | CDI-DIODE |
获取价格 |
1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5817-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), | |
DSB5818 | CDI-DIODE |
获取价格 |
1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5818 | MICROSEMI |
获取价格 |
1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5820 | CDI-DIODE |
获取价格 |
3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5820 | MICROSEMI |
获取价格 |
3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5820-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), | |
DSB5821 | CDI-DIODE |
获取价格 |
3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |