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DSB5822

更新时间： 2024-09-24 22:40:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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DSB5822 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.54
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：3 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSB5822 数据手册

 浏览型号DSB5822的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N5822 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/620  
1N5822  
and  
• 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
• HERMETICALLY SEALED  
DSB5820 thru DSB5822  
and  
• METALLURGICALLY BONDED  
DSB3A20 thru DSB3A40  
MAXIMUM RATINGS  
0.115/0.145  
2.92/3.68  
Operating Temperature: -65°C to +125°C  
Storage Temperature: -65°C to +150°C  
Average Rectified Forward Current: 3.0 AMP @ T = +55°C, L = 3/8”  
L
Derating: 43 mA / °C above T = +55°C, L = 3/8”  
L
0.130/0.195  
3.30/4.95  
0.900  
22.86  
0.036/0.042  
0.91/1.07  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
WORKING PEAK  
REVERSE  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
AT RATED VOLTAGE  
FIGURE 1  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE  
VOLTAGE  
V
V
@ 1.0 A  
V
@ 3.0 A  
V
@ 9.4A  
I
@ +25°C  
I @ +100°C  
R
RWM  
F
F
F
R
VOLTS  
20  
VOLTS  
0.40  
VOLTS  
0.50  
VOLTS  
0.70  
mA  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
mA  
12.5  
12.5  
12.5  
12.5  
DESIGN DATA  
DSB5820  
DSB5821  
DSB5822  
30  
0.40  
0.50  
0.70  
CASE: Hermetically sealed, “B” Body  
per MIL-PRF-19500/620. D-5B  
40  
0.40  
0.50  
0.70  
J,JX,JV & JS  
5822  
40  
0.40  
0.50  
0.70  
DSB3A20  
DSB3A30  
DSB3A40  
20  
30  
40  
0.40  
0.40  
0.40  
0.50  
0.50  
0.50  
0.70  
0.70  
0.70  
0.10  
0.10  
0.10  
12.5  
12.5  
12.5  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
THERMAL RESISTANCE: (R  
°C/W maximum at L = .375 inch  
): 30  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 3  
OJX  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: Any  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (978) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
67  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSB5A20 CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,
DSB5A20 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 20V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PA
DSB5A30 CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,
DSB5A30 MICROSEMI

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