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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSB5A40-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), |
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| DSB60C30HB | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-247AD, ROHS CO |
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| DSB60C30HB | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-247AD, ROHS CO |
|
| DSB60C30PB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO |
|
| DSB60C30PB | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO |
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| DSB60C45HB | IXYS |
获取价格 |
High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery Common Cathode |
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| DSB60C45HB | LITTELFUSE |
获取价格 |
肖特基低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达150V的击穿电压。 |
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| DSB60C45PB | IXYS |
获取价格 |
Schottky |
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| DSB60C45PB | LITTELFUSE |
获取价格 |
肖特基低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达150V的击穿电压。 |
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| DSB60C60HB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 60V V(RRM), Silicon, TO-247AD, ROHS CO |
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