5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.56 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.55 V |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSB5A40-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), |
|
| DSB60C30HB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-247AD, ROHS CO |
|
| DSB60C30HB | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-247AD, ROHS CO |
|
| DSB60C30PB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO |
|
| DSB60C30PB | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO |
|
| DSB60C45HB | IXYS |
获取价格 |
High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery Common Cathode |
|
| DSB60C45HB | LITTELFUSE |
获取价格 |
肖特基低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达150V的击穿电压。 |
|
| DSB60C45PB | IXYS |
获取价格 |
Schottky |
|
| DSB60C45PB | LITTELFUSE |
获取价格 |
肖特基低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达150V的击穿电压。 |
|
| DSB60C60HB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 60V V(RRM), Silicon, TO-247AD, ROHS CO |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
