生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-41 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 20 V | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSB5817-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), | |
DSB5818 | CDI-DIODE |
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1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5818 | MICROSEMI |
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1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5820 | CDI-DIODE |
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3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5820 | MICROSEMI |
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3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5820-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), | |
DSB5821 | CDI-DIODE |
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3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5821 | MICROSEMI |
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3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
DSB5821-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), | |
DSB5822 | CDI-DIODE |
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3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |