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JANTXV1N5550 PDF预览

JANTXV1N5550

更新时间： 2024-01-31 01:35:06
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 164K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PIN

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JANTXV1N5550 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：GLASS PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.33应用：POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/420G表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：20
Base Number Matches：1

JANTXV1N5550 数据手册

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1N5550 THRU 1N5554  
3SM2 THRU 3SM0  
Axial Leaded Hermetically Sealed  
Standard Recovery Rectifier Diode  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
‹ Low reverse leakage current  
‹ Hermetically sealed in fused metal oxide  
‹ Good thermal shock resistance  
‹ Low forward voltage drop  
VR = 200 - 1000V  
IF  
5.0A  
=
trr = 2µS  
VF = 1.0V  
‹ Avalanche capability  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/420.  
They can be supplied fully released as JAN, JANTX,  
JANTXV, and JANS versions.  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
1N5550  
1N5551  
3SM4  
1N5552  
3SM6  
1N5553  
3SM8  
1N5554  
3SM0  
Symbol  
Units  
3SM2  
Working Reverse Voltage  
VRWM  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
Average Forward Current  
@ 55°C in free air, lead length  
0.375"  
IF(AV)  
5.0  
A
A
Repetitive Surge Current  
@ 55°C in free air, lead length  
0.375"  
IFRM  
25  
Non-Repetitive Surge Current  
(tp = 8.3mS @ VR & TJMAX  
)
IFSM  
100  
150  
A
(tp = 8.3mS, @ VR & 25°C)  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +175  
°C  
Revision: September 22, 2008  
1
www.semtech.com  
1234

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JANTXV1N5550 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N5550 SEMTECH

完全替代

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
3SM2 SEMTECH

类似代替

 Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode

与JANTXV1N5550相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N5550E3 MICROSEMI

获取价格

 		DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK
JANTXV1N5550US SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN
JANTXV1N5550US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5551 MICROSEMI

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 		RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE
JANTXV1N5551 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, AXIAL PACKAGE-2
JANTXV1N5551 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N5551US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5551US SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN
JANTXV1N5552 MICROSEMI

获取价格

 		RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE
JANTXV1N5552 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, AXIAL PACKAGE-2

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