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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | AXIAL DIODE |
| 包装说明： | AXIAL PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.13 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 2 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5552US | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN |
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| JANTXV1N5552US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| JANTXV1N5553 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE |
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| JANTXV1N5553 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, |
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| JANTXV1N5553 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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| JANTXV1N5553US | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN |
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| JANTXV1N5553US | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| JANTXV1N5553US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| JANTXV1N5554 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED |
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| JANTXV1N5554E3 | MICROSEMI |
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DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PAC |
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