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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | GLASS PACKAGE-2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.34 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/420G |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5552US | MICROSEMI |
类似代替  |
VOIDLESS HERMITICALLY SEALED SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5553 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE |
|
| JANTXV1N5553 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTXV1N5553 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
|
| JANTXV1N5553US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN |
|
| JANTXV1N5553US | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTXV1N5553US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTXV1N5554 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED |
|
| JANTXV1N5554E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PAC |
|
| JANTXV1N5554US | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| JANTXV1N5555 | MICROSEMI |
获取价格 |
1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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