JANTXV1N5612

更新时间： 2024-10-01 23:10:39

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
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5页	130K
描述
POWER ZENER RECTIFIER

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JANTXV1N5612 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	54 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	3 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/434C
最大重复峰值反向电压：	49 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

JANTXV1N5612 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

PH: (617) 926-0404

FAX: (617) 924-1235

1N5610

1N5611

1N5612, 1N5613

Features

1500 Watts for 1 ms Pulse Power Capability

Small Physical Size

Designed for MIL-STD-704A Applications

POWER ZENER

RECTIFIER

JAN, JANTX, JANTXV

TRANSIENT

SUPPRESSOR

DIODE

Description

Zener diodes with a high surge capability

qualified to MIL-S-19500/434

Absolute Maximum Ratings ( @ 25°C unless noted )

1N5610

1N5611

200 A

24.0 A

4.8 A

1N5612

200 A

19.0 A

3.2 A

1N5613

200 A

5.7 A

Forward Surge Current,

Zener Surge Current, @ 25C

Zener Surge Current @ 150C

Storage and Operating Temperature

Zener Voltage

200 A

32.0 A

5.5 A

1.0 A

-65C to + 175C

See Electrical Characteristics

See Graphs

Surge Power

Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)

DEVICE

TYPE

Min. Zener

Voltage d

Vz @ 1Ma

Max. Zener

Voltage l

Vz @ Is

MAX.

Reverse Leakage

Current

MAX.

Forward V x

@ 100 A

Typical

Temp.

Coefficient

I_R@ V_R

Volts

33.0

43.7

54.0

191

Volts

Amps

32.0

24.0

19.0

5.7

Volts

30.5

40.3

49.0

175

Volts

4.8

5.0

% / °C

.093

.094

.096

.100

1N5610*

1N5611*

1N5612*

1N5613*

47.5

63.5

78.5

265

NOTES: * Available as JAN, JANTX and JANTXV

d Duration of applied current £300 ms, Duty cycle £2%.

Use a pulse which decays exponentially to 50 % of peak value during 1 ms. (See “ Pulse Waveform “ graph).

x Peak Sinusoidal surge current of 8.3 ms duration, non repetitive

MSC1061.PDF 5-21-99

DSW1N5610 <-> (35436)

12 3 4 5

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JANTXV1N5612 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1.5KE82A	DIOTEC	功能相似	Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
1.5KE56A	DIOTEC	功能相似	Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

与JANTXV1N5612相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV1N5613	MICROSEMI	获取价格	POWER ZENER RECTIFIER
JANTXV1N5614	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS
JANTXV1N5614	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon
JANTXV1N5614UL	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2
JANTXV1N5614US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5615	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS
JANTXV1N5615	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE
JANTXV1N5615UL	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-2
JANTXV1N5615US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5616	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS

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