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JANTXV1N5614US

更新时间: 2024-11-15 13:09:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JANTXV1N5614US 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.81Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/427K
最大反向恢复时间:2 µs表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXV1N5614US 数据手册

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