JANTX2N5667S

更新时间： 2024-09-30 12:03:11

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管
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描述
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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JANTX2N5667S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	TO-5, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.16
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/455E
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTX2N5667S 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/455

DEVICES

LEVELS

2N5664

2N5665

2N5666

2N5666S

2N5666U3

2N5667

2N5667S

JAN

JANTX

JANTV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

2N5664

2N5666, S 2N5667, S

2N5665

Parameters / Test Conditions

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

200

250

300

400

Vdc

Adc

TO-66 (TO-213AA)

2N5664, 2N5665

6.0

1.0

5.0

Collector Current

I_C

2N5664 2N5666, S

2N5665 2N5667, S

2N5666U3

Total

Power Dissipation

@ T_A= +25°C

@ T_C= +100°C

2.5

1.2

1.5

P_T

Operating & Storage Junction

Temperature Range

TO-5

2N5666, 2N5667

T_J, T_stg

-65 to +200

°C

Note: 1) Consult 19500/455 for thermal derating curves.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

TO-39 (TO-205AD)

2N5666S, 2N5667S

I_C= 10mAdc

2N5664, 2N5666

250

400

V_(BR)CER

V_(BR)EBO

I_CES

Vdc

2N5665, 2N5667

Emitter-Base Breakdown Voltage

6.0

I_E= 10μAdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 200Vdc

2N5664, 2N5666

2N5665, 2N5667

0.2

μAdc

V_CE= 300Vdc

U-3

2N5666U3

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 200Vdc

2N5664, 2N5666

2N5665, 2N5667

0.1

1.0

μAdc

_CB= 250Vdc

V_CB= 300Vdc

_CB= 400Vdc

mAdc

I_CBO

0.1

1.0

μAdc

mAdc

T4-LDS-0062 Rev. 1 (081095)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N5667	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTX2N5667	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5667S	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N5671	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5672	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
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JANTX2N5680	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTX2N5681	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTX2N5682	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD
JANTX2N5683	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5684	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5685	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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