5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.49 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/533F |
| 标称参考电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 最大电压容差： | 2% |
| 工作测试电流： | 0.65 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6355D | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| JAN1N6391 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Schottky Rectifier |
|
| JAN1N6391 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, DO-203AA, HERMETI |
|
| JAN1N6392 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Schottky Rectifier |
|
| JAN1N645-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier Diodes |
|
| JAN1N645-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN1N645R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JAN1N645X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JAN1N6461 | MICROSEMI |
获取价格 |
Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Voidless Hermetically Sealed Unidirectional |
|
| JAN1N6461A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
