5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.41 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-XELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 2.5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/551C |
| 最大重复峰值反向电压： | 30.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N6466US | MICROSEMI |
完全替代  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SU |
|
| 1N6466US | MICROSEMI |
类似代替 |
Transient Voltage Suppressor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6467 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 40.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| JAN1N6467US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 40.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SU |
|
| JAN1N6468 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 51.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JAN1N6468US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 51.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SU |
|
| JAN1N6469US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLAS |
|
| JAN1N6470 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERM |
|
| JAN1N6470US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERM |
|
| JAN1N6471 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| JAN1N6471 | NJSEMI |
获取价格 |
Transient Suppressor |
|
| JAN1N647-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier Diodes |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
