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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.39 | 其他特性： | TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE |
| 最小击穿电压： | 33 V | 击穿电压标称值： | 33 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 47.5 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/552 |
| 最大重复峰值反向电压： | 31 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6474US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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| JAN1N6475 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6475US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, G |
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| JAN1N6475US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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| JAN1N6476 | NJSEMI |
获取价格 |
Transient Suppressor |
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| JAN1N6476 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 52V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6476US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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| JAN1N647R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, |
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| JAN1N647UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, 2 PIN |
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| JAN1N647X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, |
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