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JAN1N6485

更新时间： 2024-11-10 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 125K
描述
1.5 WATT ZENER DIODES

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JAN1N6485 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.22
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.5 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500标称参考电压：3.3 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：76 mA
Base Number Matches：1

JAN1N6485 数据手册

 浏览型号JAN1N6485的Datasheet PDF文件第2页 
1N6485  
THRU  
1N6491  
AND  
1N4460  
AND  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/406  
• 1.5 WATT ZENER DIODES  
• NON CAVITY CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
1N4461  
0.060/0.085  
MAXIMUM RATINGS  
1.52/2.16  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +200°C  
Power Dissapation: 1.5W @ T =+25°C  
A
Power Derating: 10mW/°C above T =+25°C  
A
Forward Voltage: 1.0 V dc @ I =200mA dc  
F
1.5 V dc @ I =1A dc  
F
0.125/0.160  
3.18/4.06  
POLARITY  
BAND  
(CATHODE)  
0.800  
20.32  
0.028/0.032  
0.71/0.81  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
ZENER  
TEST  
DYNAMIC  
KNEE  
TEST  
REVERSE TEST  
MAXIMUM V  
Z
(REG)  
MAXIMUM  
SURGE  
VOLTAGE CURRENT IMPEDENCE IMPEDENCE CURRENT CURRENT VOLTAGE CURRENT  
±5%  
V
V
Z
TYPE  
I
(MAX.)  
(MAX.)  
I
(MAX.)  
I @V  
R
V
I
ZM  
ZT  
ZK  
R
FIGURE 1  
V
Z
Z
@I  
Z
@I  
ZT ZT  
ZK ZT  
R
VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
µ A  
VOLTS  
MA  
VOLTS  
AMPS  
1N6485  
1N6486  
1N6487  
1N6488  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
76.0  
69.0  
64.0  
58.0  
10  
10  
9
400  
400  
400  
400  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
50  
50  
35  
5.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
433  
397  
366  
332  
.90  
.80  
.75  
.70  
4.2  
3.9  
3.6  
3.3  
DESIGN DATA  
9
1N6489  
1N6490  
1N6491  
1N4460  
1N4461  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
53.0  
49.0  
45.0  
40.0  
37.0  
8
7
5
4
2.5  
500  
500  
600  
200  
200  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
4.0  
1.0  
0.5  
10.0  
5.0  
1.0  
1.0  
2.0  
3.72  
4.08  
304  
280  
255  
230  
210  
.60  
.50  
.40  
.35  
.30  
3.0  
2.7  
2.5  
2.3  
2.1  
CASE: Hermetically sealed, Glass “A”  
Body per MIL-PRF- 19500/406  
D-5A  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
NOTE: Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an  
ambient temperature of 25°C ± 3°C.  
THERMAL RESISTANCE: (R  
°C/W maximum at L = .375  
): 42  
OJL  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 4.5  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING POSITION: Any  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
71  
12

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JAN1N6485 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6485 MICROSEMI

完全替代

 1.5 WATT ZENER DIODES
JANS1N6485 MICROSEMI

完全替代

 1.5 WATT ZENER DIODES
JANTX1N6485US MICROSEMI

完全替代

 1.5 WATT ZENER DIODES

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6485C MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS P
JAN1N6485US MICROSEMI

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 		1.5 WATT ZENER DIODES
JAN1N6485US CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2
JAN1N6485USC MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-
JAN1N6485USD MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-
JAN1N6486 MICROSEMI

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 		1.5 WATT ZENER DIODES
JAN1N6486 CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2
JAN1N6486CUS MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.6V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2
JAN1N6486US MICROSEMI

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