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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LELF-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.61 | 最小击穿电压： | 16.4 V |
| 击穿电压标称值： | 16.4 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 26.5 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-N2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/552C | 最大重复峰值反向电压： | 15 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6472US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLA |
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| JAN1N6472US | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6473 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6473US | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6473US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLA |
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| JAN1N6474 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 31V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6474US | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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| JAN1N6475 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6475US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, G |
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| JAN1N6475US | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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