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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | REVERSE ENERGY TESTED |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.68 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 600 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 25 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/553 |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 最大反向电流： | 15000 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6391 | MICROSEMI |
完全替代  |
Military Schottky Rectifier |
|
| JANTX1N6391 | MICROSEMI |
功能相似 |
Military Schottky Rectifier |
|
| 1N6391 | MICROSEMI |
功能相似 |
Military Schottky Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6392 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Schottky Rectifier |
|
| JAN1N645-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier Diodes |
|
| JAN1N645-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN1N645R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JAN1N645X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JAN1N6461 | MICROSEMI |
获取价格 |
Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Voidless Hermetically Sealed Unidirectional |
|
| JAN1N6461A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| JAN1N6461AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA |
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| JAN1N6461US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA |
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| JAN1N6461USE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors |
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