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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.4 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6461 | MICROSEMI |
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Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Voidless Hermetically Sealed Unidirectional |
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| JAN1N6461A | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| JAN1N6461AUS | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA |
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| JAN1N6461US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA |
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| JAN1N6461USE3 | MICROSEMI |
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Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors |
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| JAN1N6462 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JAN1N6463 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6463A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| JAN1N6463AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURF |
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| JAN1N6463US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURF |
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