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JAN1N6351US

更新时间: 2024-10-03 13:01:27
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 100K
描述
Zener Diode, 130V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6351US 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
零件包装代码:MELF包装说明:O-XELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.27Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-R2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/533F
标称参考电压:130 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END最大电压容差:5%
工作测试电流:0.95 mABase Number Matches:1

JAN1N6351US 数据手册

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JAN1N6351US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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