是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-XELF-R2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.31 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JESD-30 代码: | O-XELF-R2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/533F | 标称参考电压: | 180 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 0.68 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N6355 | MICROSEMI |
获取价格 |
500 mW GLASS ZENER DIODES | |
JAN1N6355C | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN | |
JAN1N6355D | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN | |
JAN1N6391 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Schottky Rectifier | |
JAN1N6391 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, DO-203AA, HERMETI | |
JAN1N6392 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Schottky Rectifier | |
JAN1N645-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier Diodes | |
JAN1N645-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
JAN1N645R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 | |
JAN1N645X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |