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JAN1N6354US

更新时间: 2024-11-26 20:51:07
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
Zener Diode, 180V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6354US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-XELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.31外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-XELF-R2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/533F标称参考电压:180 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:5%工作测试电流:0.68 mA
Base Number Matches:1

JAN1N6354US 数据手册

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