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JAN1N5551US

更新时间: 2024-09-18 18:38:07
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 177K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, SQ-MELF, B PACKAGE-2

JAN1N5551US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, SQ-MELF, B PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.78
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:2 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

JAN1N5551US 数据手册

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