是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | E-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.15 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JESD-30 代码: | E-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 80 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 5 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL-19500/411 | 最大重复峰值反向电压: | 50 V |
最大反向恢复时间: | 0.15 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5415E3 | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5416 | MICROSEMI |
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FAST RECTIFIERS | |
JAN1N5416E3 | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5416US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 | |
JAN1N5417 | MICROSEMI |
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FAST RECTIFIERS | |
JAN1N5417 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5417E3 | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5418 | SENSITRON |
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HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS | |
JAN1N5418 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS | |
JAN1N5418 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, |