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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | 应用： | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/411L | 最大反向恢复时间： | 0.15 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JAN1N5418E3 | MICROSEMI | VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| JAN1N5418US | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5419 | MICROSEMI | RECTIFIERS |
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| JAN1N5419 | VMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 500V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N5419E3 | MICROSEMI | VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| JAN1N5420 | VMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, |
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