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JAN1N5419

更新时间: 2024-02-18 08:51:21
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管快速恢复能力电源快速恢复二极管
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2页 80K
描述
RECTIFIERS

JAN1N5419 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:HERMETIC SEALED, D-5, MELF-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.22
其他特性:METALLURGICALLY BONDED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJESD-30 代码:E-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:500 V最大反向恢复时间:0.25 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N5419 数据手册

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