是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MELF |
包装说明: | HERMETIC SEALED, D-5, MELF-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.22 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.5 V | JESD-30 代码: | E-LELF-R2 |
最大非重复峰值正向电流: | 80 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 3 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压: | 500 V | 最大反向恢复时间: | 0.25 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
JAN1N5419E3 | MICROSEMI | VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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JAN1N5420 | VMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, |
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JAN1N5420 | MICROSEMI | RECTIFIERS |
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JAN1N5420E3 | MICROSEMI | VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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JAN1N5441B | AEROFLEX | 6.8pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
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JAN1N5442C | AEROFLEX | 8.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
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