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JAN1N5453B

更新时间: 2024-11-16 14:18:59
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艾法斯 - AEROFLEX 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 44K
描述
56pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7

JAN1N5453B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.09Is Samacsys:N
最小击穿电压:30 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管电容容差:5%
最小二极管电容比:2.9标称二极管电容:56 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:300
参考标准:MIL表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
变容二极管分类:ABRUPTBase Number Matches:1

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