是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | E-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.18 | Is Samacsys: | N |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.1 V |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 80 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 5 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500/411 |
最大重复峰值反向电压: | 400 V | 最大反向恢复时间: | 0.15 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5418E3 | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5418US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 | |
JAN1N5419 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS | |
JAN1N5419 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 500V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5419E3 | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5420 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5420 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS | |
JAN1N5420E3 | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5441B | AEROFLEX |
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6.8pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 | |
JAN1N5442C | AEROFLEX |
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8.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |