是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-41 | 包装说明: | HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.73 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
应用: | FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.5 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 80 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向电流: | 1 µA | 最大反向恢复时间: | 0.15 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N5416US | MICROSEMI |
完全替代 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 | |
JANS1N5416US | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5416E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5416US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 | |
JAN1N5417 | MICROSEMI |
获取价格 |
FAST RECTIFIERS | |
JAN1N5417 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5417E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5418 | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS | |
JAN1N5418 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS | |
JAN1N5418 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5418E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5418US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |