是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | E-XALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.41 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JESD-30 代码: | E-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 80 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压: | 400 V |
最大反向恢复时间: | 0.15 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N5418 | EIC |
功能相似 |
FAST RECOVERY RECTIFIERS | |
JANTXV1N5418 | SENSITRON |
功能相似 |
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5418E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5418US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 | |
JAN1N5419 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS | |
JAN1N5419 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 500V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5419E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5420 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, | |
JAN1N5420 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS | |
JAN1N5420E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
JAN1N5441B | AEROFLEX |
获取价格 |
6.8pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 | |
JAN1N5442C | AEROFLEX |
获取价格 |
8.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |