5秒后页面跳转
JAN1N1204AE3 PDF预览

JAN1N1204AE3

更新时间: 2024-09-30 21:07:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, FORMERLY DO-4, 1 PIN

JAN1N1204AE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):2.3 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:240 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/260G
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:5 µs表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

JAN1N1204AE3 数据手册

 浏览型号JAN1N1204AE3的Datasheet PDF文件第2页 

与JAN1N1204AE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N1204AR MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P
JAN1N1204RA MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode,
JAN1N1204RA VISHAY

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN1N1205A INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN1N1205RA VISHAY

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN1N1206A MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1206A VISHAY

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT,
JAN1N1206A INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN1N1206AR MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P
JAN1N1206RA MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode,