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IXYN120N65B3D1

更新时间： 2024-03-25 22:01:49

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	302K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYN120N65B3D1 数据手册

IXYN120N65B3D1

Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.

Gate Resistance

Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.

Collector Current

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

off

= 2

= 150ºC , V = 15V

= 15V

Ω ,

= 400V

I = 100A

= 400V

= 150^oC

= 50A

T = 25^oC

100

R_G- Ohms

I_C- Amperes

Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.

Gate Resistance

Fig. 15. Inductive Switching Energy Loss vs.

Junction Temperature

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

230

210

190

170

150

130

600

500

400

300

200

100

off

= 2

t _{f i}

t_d(off)

= 150^oC, V_GE= 15V

V_GE= 15V

Ω ,

V_CE= 400V

= 400V

= 100A

= 50A

I_C= 50A

= 100A

100

125

150

R_G- Ohms

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 18. Inductive Turn-off Switching Times vs.

Junction Temperature

Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.

Collector Current

210

190

170

150

130

110

240

220

200

180

160

140

120

220

200

180

160

140

120

100

280

t _{f i}

t_d(off)

t _{f i}

t_d(off)

260

240

220

200

180

160

140

120

= 2 , V = 15V

Ω

= 400V

= 150^oC

= 50A

= 100A

= 25^oC

100

125

150

I_C- Amperes

T_J- Degrees Centigrade

1 2 3 456 7 8 9

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