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IXYN120N65B3D1

更新时间： 2024-03-25 22:01:49

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	302K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYN120N65B3D1 数据手册

IXYN120N65B3D1

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

g_fs

I_C= 60A, V_CE= 10V, Note 1

C_ies

C_oes

C_res

6900

586

V_CE= 25V, V_GE= 0V, f = 1MHz

146

Q_g(on)

Q_ge

Q_gc

250

I_C= 120A, V_GE= 15V, V_CE= 0.5 • V_CES

110

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 25°C

I_C= 50A, V_GE= 15V

E_on

t_d(off)

t_fi

1.34

168

107

1.50

V_CE= 400V, R_G= 2

Note 2

E_of

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 150°C

I_C= 50A, V_GE= 15V

E_on

t_d(off)

t_fi

2.60

226

196

2.20

V_CE= 400V, R_G= 2

Note 2

E_off

R_thJC

R_thCS

0.18 °C/W

°C/W

0.05

Reverse Diode (FRED)

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

V_F

I_F= 100A, V_GE= 0V, Note 1

2.70

T_J= 150°C

1.7

I_rr

t_rr

T_J= 150°C

156

I_F= 100A, V_GE= 0V, -di_F/dt = 700A/μs,

V_R= 400V

R_thJC

0.38 °C/W

Notes:

1. Pulse test, t  300μs, duty cycle, d  2%.

2. Switching times & energy losses may increase for higher V_CE(clamp), T_Jor R_G.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5 6 7...9

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