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IXKP35N60C5

更新时间： 2024-02-20 08:43:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IXKP35N60C5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
其他特性：	AVALANCE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.5 A
最大漏极电流 (ID)：	11.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKP35N60C5 数据手册

IXKH 35N60C5

IXKP 35N60C5

Advanced Technical Information

160

120

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.3

T_JV= 150°C

I_D= 18 A

V_GS= 10 V

V_DS> 2·R_{DS(on) max}· I_D

0.25

0.2

5.5 V

25 °C

6 V

6.5 V

7 V

5 V

V_DS

20 V

0.15

98 %

150 °C

T_J=

typ

0.1

0.05

-60

-20

100

140

180

I _D[A]

_j[°C]

[V]

Fig. 4 Typ. drain-source on-state

Fig. 5 Drain-source on-state resistance

Fig. 6 Typ. transfer characteristics

resistance characteristics of IGBT

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ⁵

10 ⁴

10 ³

10 ²

10 ¹

10 ⁰

25 °C, 98%

I_D= 18 A pulsed

V_GS= 0 V

f = 1 MHz

150 °C, 98%

25 °C

V_DS= 120 V

T_J=^{150 °C}

Ciss

1 20 V

40 0V

Coss

Crss

0.5

1.5

100

[V]

150

200

_gate[nC]

[V]

Fig. 7 Forward characteristic

of reverse diode

Fig. 8 Typ. gate charge

Fig. 9 Typ. capacitances

10 ⁰

1000

750

500

250

700

I_D= 11 A

I_D= 0.25 mA

0.5

0.2

660

620

580

540

10 ^-1

0.1

D = t_p/T

0.05

0.02

10 ^-20.01

single pulse

10 ^-3

10 ^-6

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ⁰

100

140

180

-60

-20

100

140

180

t _p[s]

_j[°C]

Fig. 10 Avalanche energy

Fig. 11 Drain-source breakdown voltage

Fig. 12 Max. transient thermal

impedance

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080523a

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