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IXKP35N60C5

更新时间： 2024-01-23 04:23:33

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IXKP35N60C5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
其他特性：	AVALANCE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.5 A
最大漏极电流 (ID)：	11.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKP35N60C5 数据手册

IXKH 35N60C5

IXKP 35N60C5

Advanced Technical Information

Source-Drain Diode

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

I_S

V_GS= 0 V

V_SD

I_F= 18 A; V_GS= 0 V

0.9

1.2

t_rr

Q_RM

I_RM

450

µC

I_F= 18 A; -di_F/dt = 100 A/µs; V_R= 400 V

Component

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ

T_stg

operating

-40...+150

°C

M_d

mounting torque

TO-247

TO-220

0.8 ... 1.2

0.4 ... 0.6

Symbol

Conditions

Characteristic Values

min. typ. max.

R_thCH

with heatsink compound TO-247

TO-220

0.25

0.50

K/W

Weight

TO-247

TO-220

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080523a

2 - 4

123 4

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