是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.64 |
内置保护: | UNDER VOLTAGE | 接口集成电路类型: | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T14 | 长度: | 19.18 mm |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出电流流向: | SOURCE AND SINK | 标称输出峰值电流: | 0.6 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP14,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 10/30 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 子类别: | MOSFET Drivers |
最大供电电压: | 35 V | 最小供电电压: | 10 V |
标称供电电压: | 15 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
断开时间: | 0.11 µs | 接通时间: | 0.2 µs |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXD611S1 | IXYS |
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600V, 600 mA High and Low-side Driver | |
IXD611S7 | IXYS |
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600V, 600 mA High and Low-side Driver | |
IXD75IF650NA | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXDA20N120AS | IXYS |
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High Voltage IGBT | |
IXDA20N120AS | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 | |
IXDA20N120AS_11 | IXYS |
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High Voltage IGBT | |
IXDD404 | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver | |
IXDD404_07 | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver | |
IXDD404PI | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver | |
IXDD404SI | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |