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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP14,.25 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.64 |
| 内置保护： | UNDER VOLTAGE | 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G14 | 长度： | 8.65 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出电流流向： | SOURCE AND SINK | 标称输出峰值电流： | 0.6 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP14,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 10/30 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 子类别： | MOSFET Drivers |
| 最大供电电压： | 35 V | 最小供电电压： | 10 V |
| 标称供电电压： | 15 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 0.11 µs | 接通时间： | 0.2 µs |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXD75IF650NA | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热 |
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| IXDA20N120AS | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXDA20N120AS | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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| IXDA20N120AS_11 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXDD404 | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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| IXDD404_07 | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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| IXDD404PI | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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| IXDD404SI | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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| IXDD404SI-16 | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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| IXDD404SIA | IXYS |
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4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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