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ISL9V5036S3STS62Z

更新时间： 2024-09-29 21:00:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 汽车点火栅晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 360V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

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ISL9V5036S3STS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.06
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：46 A
集电极-发射极最大电压：360 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：7600 ns
标称接通时间 (ton)：2800 nsBase Number Matches：1

ISL9V5036S3STS62Z 数据手册

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February 2002  
ISL9V5036S3S / ISL9V5036P3  
TM  
EcoSPARK 500mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT  
General Description  
Applications  
•
•
Automotive Ignition Coil Driver Circuits  
Coil- On Plug Applications  
The ISL9V5036S3S and ISL9V5036P3 are the next generation  
IGBTs that offer outstanding SCIS capability in the D² -Pak (TO-  
263) and TO-220 plastic package. These devices are intended for  
use in automotive ignition circuits, specifically as coil drivers.  
Internal diodes provide voltage clamping without the need for  
external components.  
Features  
•
•
•
Industry Standard D-Pak package  
o
SCIS Energy = 500mJ at T = 25 C  
J
Logic Level Gate Drive  
EcoSPARK™ devices can be custom made to specific clamp  
voltages. Contact your nearest Fairchild sales office for more  
information.  
Formerly Developmental Type 49443  
Package  
Symbol  
COLLECTOR  
JEDEC TO-263  
D²-Pak  
JEDEC TO-220AB  
R1  
R2  
G
GATE  
E
COLLECTOR  
(FLANGE)  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
EMITTER  
Device Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Collector to Emitter Breakdown Voltage (I = 1 mA)  
Ratings  
Units  
V
BV  
BV  
390  
24  
CER  
ECS  
C
Emitter to Collector Voltage - Reverse Battery Condition (I = 10 mA)  
V
C
E
At Starting T = 25°C, I = 38.5A, L = 670 µHy  
SCIS  
500  
mJ  
mJ  
A
SCIS25  
J
E
At Starting T = 150°C, I = 30A, L = 670 µHy  
SCIS  
300  
SCIS150  
J
I
Collector Current Continuous, At T = 25°C, See Fig 9  
46  
C25  
C
I
Collector Current Continuous, At T = 110°C, See Fig 9  
31  
A
C110  
C
V
Gate to Emitter Voltage Continuous  
±10  
V
GEM  
P
Power Dissipation Total T = 25°C  
200  
W
D
C
Power Dissipation Derating T > 25°C  
1.33  
-40 to 175  
-40 to 175  
300  
W/°C  
°C  
°C  
°C  
°C  
kV  
C
T
Operating Junction Temperature Range  
J
T
Storage Junction Temperature Range  
STG  
T
Max Lead Temp for Soldering (Leads at 1.6mm from Case for 10s)  
Max Lead Temp for Soldering (Package Body for 10s)  
Electrostatic Discharge Voltage at 100pF, 1500Ω  
L
T
260  
pkg  
ESD  
4
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9V5036S3S / ISl9V5036P3 Rev. B, February 2002  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9V5045S3 FAIRCHILD

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 		EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT
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 		ISL9V5045S3ST_F085 EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT
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