2N6654

更新时间： 2024-02-02 15:38:22

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6654 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
Base Number Matches：	1

2N6654 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6654

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage capability

·Fast switching speeds

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·Switcing regulators

·Inverters

·Solenoid and relay drivers

·Deflection circuits

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

MAXIMUN RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

500

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

350

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

T_c=25℃

150

℃

T_j

200

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.0

℃/W

12 3

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