Datasheet > 存储 > SRAM> IS62WV20488ALL-35TI

IS62WV20488ALL-35TI

更新时间： 2024-09-25 03:15:55

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV20488ALL-35TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.62
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS62WV20488ALL-35TI 数据手册

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IS62WV20488ALL

IS62WV20488BLL

2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER

CMOS STATIC RAM

ISSI

PRELIMINARYINFORMATION

JULY2006

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access times:

25, 35 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Fully static operation: no clock or refresh

required

The ISSI IS62WV20488ALL/BLL is a high-speed, low

power, 2M-word by 8-bit CMOS static RAM. The

IS62WV20488ALL/BLL is fabricated using ISSI's high-

performance CMOS technology. This highly reliable

process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields higher performance and low power con-

sumption devices.

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected)orwhenCS1isLOW,CS2isHIGH,thedevice

assumes a standby mode at which the power dissipation

can be reduced down with CMOS input levels.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single power supply

– VDD 1.65V to 2.2V (IS62WV20488ALL)

speed = 35ns for Vcc = 1.65V to 2.2V

– VDD 2.4V to 3.6V (IS62WV20488BLL)

speed = 25ns for Vcc = 2.4V to 3.6V

• Packages available:

The IS62WV20488ALL/BLL operates from a single

power supply and all inputs are TTL-compatible.

The IS62WV20488ALL/BLL is available in 48 ball mini

BGA and 44-pin TSOP (Type II) packages.

–

48-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 44-pin TSOP (Type II)

• Industrial Temperature Support

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

2M X 8

MEMORY ARRAY

A0-A20

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. 00B

06/21/06

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV20488ALL-35TLI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 2MX8, 35ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44
IS62WV20488BLL	ISSI	获取价格	2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV20488BLL-25MI	ISSI	获取价格	2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV20488BLL-25MLI	ISSI	获取价格	2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM
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IS62WV20488BLL-25TLI	ISSI	获取价格	2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM
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