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IS62WV1288BLL-55QI

更新时间： 2024-11-24 03:03:11

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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15页	110K
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128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV1288BLL-55QI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP32,.56	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.445 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3 mm	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.305 mm	Base Number Matches：	1

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IS62WV1288ALL

IS62WV1288BLL

ISSI

JUNE2005

128K x 8 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV1288ALL / IS62WV1288BLL are high-

speed, 1M bit static RAMs organized as 128K words by 8

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns

• CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply:

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected),thedeviceassumesastandbymodeatwhich

the power dissipation can be reduced down with CMOS

input levels.

1.65V--2.2V V^DD(62WV1288ALL)

2.5V--3.6V V^DD(62WV1288BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

TheIS62WV1288ALLandIS62WV1288BLLarepackaged

in the JEDEC standard 32-pin TSOP (TYPEI), sTSOP

(TYPEI), SOP, and 36-pin mini BGA.

• Three state outputs

• Industrial temperature available

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 8

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. C

06/20/05

12 3 4 5 6 7...15

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IS62WV1288BLL-55QI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS62WV1288BLL-55QLI-TR	ISSI	功能相似	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32
IS62WV1288BLL-55QLI	ISSI	功能相似	128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV1288BLL-55QI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS62WV1288BLL-55QLI	ISSI	获取价格	128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288BLL-55QLI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32
IS62WV1288BLL-55T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP1-32
IS62WV1288BLL-55TI	ISSI	获取价格	128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288BLL-55TI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP1-32
IS62WV1288BLL-55TLI	ISSI	获取价格	128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288BLL-55TLI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-32
IS62WV1288DALL	ISSI	获取价格	128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288DALL-55BI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PBGA36,

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