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IS62LV12816L-55BI

更新时间： 2024-02-28 10:28:36
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 463K
描述
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62LV12816L-55BI 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.91
Is Samacsys：N最长访问时间：55 ns
其他特性：CONFIGURABLE AS 128K X 16I/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000025 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS62LV12816L-55BI 数据手册

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IS62LV12816L  
IS62LV12816LL  
OPERATING RANGE  
Range  
Ambient Temperature  
VCC  
Commercial  
0°C to +70°C  
2.7V - 3.6V  
Industrial  
–40°C to +85°C  
2.7V - 3.6V  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)  
Symbol Parameter  
Value  
Unit  
V
VTERM  
TBIAS  
VCC  
Terminal Voltage with Respect to GND  
Temperature Under Bias  
Vcc related to GND  
–0.5 to Vcc + 0.5  
–40 to +85  
–0.3 to +4.0  
–65 to +150  
1.0  
°C  
V
TSTG  
PT  
Storage Temperature  
°C  
W
Power Dissipation  
Notes:  
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the  
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above  
those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating  
conditions for extended periods may affect reliability.  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Over Operating Range)  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
VOH  
VOL  
VIH  
Output HIGH Voltage  
VCC = Min., IOH  
VCC = Min., IOL  
=
=
–1  
2.1  
V
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage(1)  
Input Leakage  
2.2  
–0.2  
–1  
VCC + 0.2  
(1)  
VIL  
ILI  
0.4  
1
V
GND ≤ VIN ≤ VCC  
GND ≤ VOUT ≤ VCC, OUTPUTS DISABLED  
µA  
µA  
ILO  
Output Leakage  
–1  
1
Notes:  
1. VIL(min.) = –2.0V for pulse width less than 10 ns.  
CAPACITANCE(1)  
Symbol  
CIN  
Parameter  
ConditionsMax.  
VIN = 0V  
Unit  
6
Input Capacitance  
Output Capacitance  
pF  
pF  
COUT  
VOUT = 0V  
8
Notes:  
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
SR020-0C  
3
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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