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IS62LV12816LL-55BI

更新时间： 2024-02-17 10:36:13

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	80K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

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IS62LV12816LL-55BI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 8 MM, MINI, BGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 128K X 16
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.35 mm	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

IS62LV12816LL-55BI 数据手册

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IS62LV12816L/LL

128K x 16 CMOS STATIC RAM

ISSI

JANUARY 2000

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access time: 55, 70, 100 ns

• CMOS low power operation

The ISSI IS62LV12816L and IS62LV12816LL are high-

speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as 131,072

words by 16 bits. They are fabricated using ISSI's high-

performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocess

coupled with innovative circuit design techniques, yields

high-performance and low power consumption devices.

– 120 mW (typical) operating

– 6 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single 2.5V-3.0V V^CCpower supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

OutputEnableinputs, CEandOE. TheactiveLOWWriteEnable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A data

byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

TheIS62LV12816LandIS62LV12816LLarepackagedinthe

JEDECstandard44-pinTSOP(TypeII)and48-pinminiBGA.

• Available in the 44-pin TSOP (Type II) and

48-pin mini BGA

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. C

03/17/00

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IS62LV12816LL-55TI	ICSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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