Datasheet > 存储 > SRAM> IS62LV12816L-55BI

IS62LV12816L-55BI

更新时间： 2024-02-28 11:43:33

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	463K
描述
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS62LV12816L-55BI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 128K X 16	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000025 A
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS62LV12816L-55BI 数据手册

浏览型号IS62LV12816L-55BI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IS62LV12816L-55BI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IS62LV12816L-55BI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IS62LV12816L-55BI的Datasheet PDF文件第8页

IS62LV12816L

IS62LV12816LL

WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS^(1,2)(Over Operating Range)

-55

-70

-100

Min.

Symbol Parameter

Min.

Max.

Min.

Max.

Max

Unit

tWC

tSCE

tAW

Write Cycle Time

100

CE to Write End

Address Setup Time to Write End

Address Hold from Write End

Address Setup Time

tHA

tSA

tPWB

tPWE

tSD

LB, UB Valid to End of Write

WE Pulse Width

Data Setup to Write End

Data Hold from Write End

WE LOW to High-Z Output

WE HIGH to Low-Z Output

tHD

(3)

tHZWE

(3)

tLZWE

Notes:

1. Test conditions assume signal transition times of 3 ns or less, timing reference levels of 1.3V, input pulse levels of 0.4V to 2.2V

and output loading specified in Figure 1.

2. The internal write time is defined by the overlap of CE LOW, and UB or LB, and WE LOW. All signals must be in valid states to

initiate a Write, but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the

rising or falling edge of the signal that terminates the Write.

3. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.

AC WAVEFORMS

WRITE CYCLE NO. 1^(1,2)(CS, Controlled, OE = HIGH or LOW)

VALID ADDRESS

SCS

ADDRESS

PWE1

PWE2

PWB

UB, LB

HZWE

LZWE

HIGH-Z

DATA UNDEFINED

DOUT

DATAIN VALID

DIN

Notes:

1. WRITE is an internally generated signal asserted during an overlap of the LOW states on the CS and WE inputs and at least

one of the LB and UB inputs being in the LOW state.

2. WRITE = (CS) [ (LB) = (UB) ] (WE).

Integrated Circuit Solution Inc.

SR020-0C

1...4 5 678 9 10

中文翻译

下载PDF

与IS62LV12816L-55BI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62LV12816L-55T	ICSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-55T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816L-55TI	ICSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-55TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816L-70B	ISSI	获取价格	128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-70B	ICSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-70BI	ICSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-70BI	ISSI	获取价格	128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-70T	ISSI	获取价格	128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-70T	ICSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

与IS62LV12816L-55BI相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS62LV12816L-55BI

IS62LV12816L-55BI 技术参数

IS62LV12816L-55BI 数据手册

与IS62LV12816L-55BI相关器件

与IS62LV12816L-55BI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS62LV12816L-55BI

IS62LV12816L-55BI 技术参数

IS62LV12816L-55BI 数据手册

与IS62LV12816L-55BI相关器件

与IS62LV12816L-55BI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？