是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | CONFIGURABLE AS 128K X 16 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62LV12816LL-10T | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
IS62LV12816LL-10TI | ETC |
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x16 SRAM | |
IS62LV12816LL-55B | ICSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816LL-55B | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS62LV12816LL-55BI | ICSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816LL-55BI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS62LV12816LL-55T | ICSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816LL-55T | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
IS62LV12816LL-55TI | ICSI |
获取价格 |
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816LL-55TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |