是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.88 |
最长访问时间: | 8 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.415 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61LV5128 | ICSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10 | ISSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10B | ISSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10BI | ISSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10K | ISSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10K | ICSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10KI | ISSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10KI | ICSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10T | ISSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61LV5128-10T | ICSI |
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512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |