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IS61LV3216L-20KI

更新时间： 2024-02-02 12:16:19

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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8页	104K
描述
32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

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IS61LV3216L-20KI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
端子数量：	44	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.001 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL

IS61LV3216L-20KI 数据手册

ISSI^®

IS61LV3216L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS⁽¹⁾

Symbol Parameter

Value

Unit

VCC

VTERM

TSTG

Supply Voltage with Respect to GND

–0.5 to +4.6

Terminal Voltage with Respect to GND –0.5 to Vcc + 0.5

Storage Temperature

Power Dissipation

–65 to +150

°C

1.0

IOUT

DC Output Current (LOW)

Note:

1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause

permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of

the device at these or any other conditions above those indicated in the operational

sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating

conditions for extended periods may affect reliability.

OPERATING RANGE

Range

Ambient Temperature

0°C to + 70°C

VCC 10 ns, 12 ns

3.3V +10%, –5%

VCC 15 ns, 20 ns

Commercial

Industrial

3.3V 10%

–40°C to + 85°C

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Over Operating Range)

Symbol Parameter

Test Conditions

Min.

2.4

—

Max.

—

Unit

VOH

VOL

VIH

VIL

ILI

Output HIGH Voltage

VCC = Min., IOH = –4.0 mA

VCC = Min., IOL = 8.0 mA

Output LOW Voltage

Input HIGH Voltage

Input LOW Voltage⁽¹⁾

Input Leakage

0.4

_0.3V7

VCC

–0.30.8

–1

GND - VIN - VCC

µA

ILO

Output Leakage

GND - VOUT - VCC, Outputs Disabled

–2

Note:

1. V^IL(min.) = –3.0V for pulse width less than 10 ns.

POWER SUPPLY CHARACTERISTICS⁽¹⁾(Over Operating Range)

-10 ns

-12 ns

Min. Max.

-15 ns

Min. Max.

-20 ns

Symbol Parameter

Test Conditions

Min. Max.

Unit

ICC

Vcc Dynamic Operating

VCC = Max.,

Com.

Ind.

—

130

—

120

130

—

110

120

—

100

110

Supply Current

IOUT = 0 mA, f = fMAX

ISB1

TTL Standby Current

(TTL Inputs)

VCC = Max.,

Com.

Ind.

—

VIN = VIH or VIL

CE • VIH , f = 0

ISB2

CMOS Standby

VCC = Max.,

Com.

Ind.

—

Current (CMOS Inputs)

CE • VCC – 0.2V,

VIN • VCC – 0.2V, or

VIN - 0.2V, f = 0

—

Note:

1. At f = f^MAX, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

12/19/00

1 234 5 6 7 8

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